Wie der taiwanische Branchendienst DigiTimes berichtet, ermitteln die chinesischen Behörden seit geraumer Zeit wegen möglicher Preisabsprachen zwischen den drei weltgrößten DRAM-Herstellern Samsung Electronics, SK Hynix und Micron Technology. Hintergrund sind die seit 2017 erfolgten Preissteigerungen, die die Profitabilität der chinesischen Smartphonehersteller reduzieren.
Quellen aus der Branche zufolge haben die chinesischen Wettbewerbshüter bereits im Dezember Gespräche mit Samsung geführt. Im Mai 2018 traf man nun auf den US-Hersteller Micron, um die gestiegenen Preise zu diskutieren. Seit kurzem laufen nun umfangreiche Ermittlungen wegen des Verdachts von Preisabsprachen, bei denen man sich auf die drei Hersteller konzentriert, welche zusammen über 90 Prozent Marktanteil für sich beanspruchen können.
Inzwischen haben Samsung, SK Hynix und Micron allesamt bestätigt, dass die chinesischen Behörden bei ihnen vorstellig wurden. Man sicherte eine uneingeschränkte Kooperation zu, wollte sich aber nicht weiter äußern. Sollten die Ermittler zu dem Schluss kommen, dass die Hersteller tatsächlich gegen geltende Richtlinien verstoßen, soll eine Strafe von 800 Millionen bis acht Milliarden Dollar drohen. Die Strafen orientieren sich dabei an den in den Jahren 2016 und 2017 erfolgten Verkäufen von Speicherbausteinen in China.
Allein im Jahr 2017 importierte China Speicherchips im Wert von fast 89 Milliarden US-Dollar, was einer Steigerung von rund 40 Prozent gegenüber dem Vorjahr entspricht. Die Ermittlungen der chinesischen Behörden gehen auf Beschwerden von Smartphone-Herstellern und anderen Anbietern von Technologieprodukten zurück.
Die Ermittlungen der Behörden sind deshalb auch ein Mittel, um Druck auf die Speicherlieferanten auszuüben, um so günstigere Preise für die chinesischen Hersteller zu erzielen. Unterdessen arbeitet man auch daran, die Abhängigkeit von den ausländischen Speicheranbietern zu reduzieren. Unter anderem werden örtliche Firmen gefördert, um Technologien zur Speicherfertigung in China zu entwickeln.