X

Aquabolt: Samsung baut 2. Generation des schnellen HBM2-Speichers

High End-Grafikkarten können demnächst mit einem weiteren Per­for­mance-Schub rechnen. Die unter dem Codenamen "Aquabolt" entwickelte zweite Generation von HBM2-Spei­cher­ein­hei­ten geht jetzt bei Samsung in die Massenproduktion. Auch bei diesen setzt man auf die inzwischen von Flash-Speichern hinlänglich bekannte Stapelung mehrerer Chips.
AMD
12.01.2018  11:10 Uhr
HBM2-Speicher von Samsung HBM2-Struktur

Die geschichtete Konstruktion sorgt nicht nur dafür, dass in einem kompakten Package we­sent­lich mehr Kapazität bereitgestellt werden kann. Durch die direkten Verbindungen zwischen den Layern wird auch eine deutliche Steigerung der Bandbreite erreicht. Auf diese Weise soll die Technologie auch ein Garant dafür sein, dass der Arbeitsspeicher letztlich nicht die immer leistungsfähigeren Prozessoren ausbremst.

Die neuen Aquabolt-Komponenten werden von Samsung ausschließlich mit Kapazitäten von 8 Gigabyte produziert. Die 4-Gigabyte-Modelle des Vorgängers Flarebolt fallen hier nun weg. In jedem Chip sind hier nun acht Dies übereinandergestapelt. Dies war auch schon bei den vergleichbaren Chips der Vorgängergeneration der Fall.

High-End-Comeback: AMD stellt Radeon RX Vega-Grafikkarten vor
videoplayer11:14

Schneller trotz Norm

Mit Aquabolt schafft Samsung es nun außer­dem, wieder stärker an den eigentlichen HBM2-Standard heranzukommen. Bei Flarebolt musste man noch über diesen hinausgehen, um die gewünschten Ergebnisse zu erhalten. Bei der Spannung von 1,2 Volt laut den stan­dar­di­sier­ten Spezifikationen kam man hier immerhin "nur" auf Pin-Bandbreiten von 1,6 Gigabyte pro Sekunde. Um die 2 Gigabyte pro Sekunde zu erreichen, die die Spitzenmodelle schafften, musste man die Chips mit nicht mehr stand­ard­kon­for­men 1,35 Volt versorgen - was durch entsprechende Absprachen mit den Kunden auch kein entscheidendes Problem war.

Bei Aquabolt geht Samsung wieder zurück auf die genormten 1,2 Volt. Trotzdem wird hier nun eine Bandbreite von 2,4 Gigabyte pro Sekunde erreicht. Die DRAM-Architektur in den einzelnen Layern wird mit einem 20-Nanometer-Verfahren hergestellt. In normalen Grafikkarten wird der Speicher in den kommenden Monaten noch nicht zu sehen sein. Erste entsprechende Produkte sind dann doch klar im High End-Bereich angesiedelt, mit dem Nutzer von Grafik-Workstations und KI-Anwendungen versorgt werden.
Verwandte Themen
Samsung Electronics
☀ Tag- / 🌙 Nacht-Modus
Desktop-Version anzeigen
Impressum
Datenschutz
Cookies
© 2024 WinFuture